特邀专家!宽禁带半导体领域专家:化梦媛博导强势加盟,我会再添强援!
化梦媛博士致力于宽禁带半导体电力电子器件与电路的研究,在氮化镓(GaN)电力电子器件的高端制造工艺、先进表征技术、器件物理、结构设计、可靠性与集成等方面做出一系列原创性和系统性的研究。共发表国际高水平期刊与会议论文90余篇(一作/通讯论文36篇),论文总引用次数超1900次(Google Scholar统计),h因子22。其中包括器件领域顶级会议IEEE IEDM 7篇,电力电子领域顶级会议IEEE ISPSD 11篇,器件领域顶级期刊IEEE EDL 15篇,IEEE TED 8篇,APL 6篇。工作多次入选期刊热点文章和期刊封面作重点推介,先后多次被业界杂志《化合物半导体》(Compound Semiconductor)和《今日半导体》(Semiconductor Today)专题报道,产生重要国际影响。为国际氮化物半导体会议ICNS、MRS 春季会议等国际会议做邀请报告10余次。2017年获IEEE ISPSD 最佳青年学者奖(年度唯一获奖人),2020年获IEEE ICSICT 杰出青年科技论文奖。申请发明专利6项,主持国家及省部级项目2项。化梦媛博导加盟我会,成为我会专家库特邀专家,我会对化梦媛博导的加盟倍感荣幸!
化梦媛博导简介
原创申明
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